由于在后繼外延工藝中，生長薄膜時硅片背面邊緣會集富一層多晶硅，與正面邊緣形成臺階影響下一步的光刻對準（工藝），為此，越來越多的外延要求對重摻襯底硅片的背封層SiO2進行邊緣去除0.3～2mm左右，即邊緣剝離。邊緣剝離利用HF與SiO2進行反應腐蝕，其剝離寬度根據不同客戶規(guī)格進行控制。