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  • KPDF-6201S邊緣剝離腐蝕機
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KPDF-6201S邊緣剝離腐蝕機

由于在后繼外延工藝中,生長薄膜時硅片背面邊緣會集富一層多晶硅,與正面邊緣形成臺階影響下一步的光刻對準(工藝),為此,越來越多的外延要求對重摻襯底硅片的背封層SiO2進行邊緣去除0.32mm左右,即邊緣剝離。邊緣剝離利用HF與SiO2進行反應腐蝕,其剝離寬度根據不同客戶規(guī)格進行控制。


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